英福康残余气体分析仪（RGA）在半导体制程中的重要性浅析

英福康残余气体分析仪（RGA）在半导体制程中的重要性浅析

第一、12英寸晶圆的市场需求趋势明显，要持续保证产品的高良率、保障真空环境的洁净度以及在线同步侦测真空室就显得非常之重要，这就必须要选择INFICON的具有高灵敏度的残余气体分析仪（RGA）。

第二、由于晶圆产品尺寸越做越小，对真空制程室内的洁净度要求也就越来越高。这其中，对真空要求严格的制程为金属物理沉积，其真空全压力必须达到1x 10-8 Torr左右，才能大幅降低背景水气及氧气对溅镀金属层电阻性的影响。而对于沉积晶粒大小及电移性，众多研究都显示使用超高真空室及超高纯度金属靶材要比仅仅使用高真空室及高纯度靶材改善许多。

第三、造成晶圆所在的真空腔体污染的原因有很多，除了真空室内的残余气体外，定期更换金属靶材、制程用的高纯度气体、输送气体管道和流量计、以及进出真空反应室的晶圆本身都是可能的污染源。因此，单纯的真空测漏已经无法满足要求了，还必须能实时在线侦测真空室内的环境状况。而残余气体分析仪（RGA）就很好地满足了这一市场需求，并且市场反馈效果也非常好。

第四、RGA在半导体制程中的应用如下：

      1、PM过程的监控

            外漏可用氦气捡漏仪予以侦测，而对于真空腔体内部的逸气源则只能用残余气体分析仪（RGA）加以侦测和认定了！

            当RGA锁定量测质量为氦气时即可作为一个轻便简单的检漏仪，所有外漏或逸气皆逃不出其法眼，并且比机台外接检漏仪更加方便快捷。

      2、物理气相沉积法（PVD）

             PVD制程对于真空度的要求非常严格，起码得在10-8 Torr左右。但是，可能对制程有严重影响的污染物却无处不在，如不纯的反应气体，更换靶材或遮蔽圈之逸气，外漏的流量计或接头，晶圆本身之逸气等等。INFICON密闭式离子源的残余气体分析仪（RGA）就可以解决这一难题，其能够在1-20 mTorr的制程压力下对所有污染物进行线上同步侦控，以确保真空腔体环境的纯净度。

            同时，在每片晶圆成本不断提高的趋势下，对主要制程进行同步侦控，不但可以大幅减少意外损失，而且更能够快速确认影响真空之问题所在。

第五、INFICON的RGA的基本操作原理，是将连接于侦测头的真空室内所有中性气体成份在离子源内经由从灯丝(Filament)中放射出的电子撞击而产生的离子导进四极管的入口。而四极管本身乃以交错相位的直流及交流电位而产生的共振电场对具有不同质电比(m/e ratio)的正离子进行筛选。换言之，当适当控制直流与交流电位比例时，所产生的电场仅与某单一质电比离子形成共振现象。而此种离子则以稳定螺旋轨迹顺利通过筛选以进入接收器，其它所有质电比的离子则因通过轨迹不稳定而导致撞击器壁中和后被真空泵抽走。

INFICON的RGA已经使用的网线连接，最终在电脑的专业软件（FabGuard）端显示出频谱图以及趋势图，一目了然！

第六、英福康在气体分析过程控制设备领域钻研了数十年，英福康研发出的残余气体分析仪器（RGA）具备业内的数据采集速度、可检测分压和最小信噪比，有助于降低半导体制造中的工具停工时间，提高机台使用率以及芯片产量，出色性能，值得信赖！

（版权声明：文章部分内容摘录自商友圈网文章《RGA残余气体分析仪在半导体制程上的应用》，在此致谢，如有不当请联系删除。）